Indonesian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Hindi

Turkish

Indonesian

Vietnamese

Thai

Bengali

Persian

Polish

Quote request suatu |

Semikonduktor Daya Tinggi

Cina Semikonduktor Daya Tinggi

Low Leakage High Power Semiconductor Discrete Devices Efisiensi Energi yang Ditingkatkan

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Tegangan:Tegangan tinggi

Efisiensi:Efisiensi tinggi
N Semikonduktor Tegangan Tinggi TO-251 Dengan Kinerja Termal yang Ditingkatkan

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah
Toleransi Tegangan Tinggi Daya Semikonduktor TO-220F Untuk Power Converter

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Jenis:N

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah
Semikonduktor daya tahan suhu tinggi dengan kapasitas simpang rendah

Jenis:N

Ketahanan suhu:Ketahanan suhu tinggi

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Telusuri kategori：

Tentang

Silicon Carbide SBD: Power Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Untuk Oven Listrik; High Breakdown Voltage Silicon Carbide SBD Untuk Pusat Data; Industrial Silicon Carbide SBD Multipurpose Untuk Mesin Las

IGBT inverter: 15A 1200V Inverter IGBT Sirkuit Singkat Tahan Waktu 10μS Untuk Pengemudi Motor; Inverter yang andal dan kokoh IGBT Enhancement Mode N Channel; Charging Pile IGBT Transistor Multipurpose Untuk Aplikasi OBC

Tinggalkan pesan

Kebijakan pribadi | Cina Bagus kualitas IGBT inverter pemasok. © 2024 - 2025 inverterigbt.com. All Rights Reserved.

vr