Rumah Produk

Semikonduktor Daya Tinggi

Cina Semikonduktor Daya Tinggi

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET Daya Tinggi Untuk Mengganti Pengecas

PENGENAL:11A

Vdss:650V

VGS tipe RDSON = 10V:340mΩ
Semikonduktor Tegangan Tinggi Tipe N Daya Tinggi dengan Kebocoran Rendah

Ketahanan suhu:Ketahanan suhu tinggi

Jenis:N

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se
TO-220F Transistor Efek Medan Semikonduktor Metal Oksida 15A 600V 274mΩ

PENGENAL:15A

Vdss:600V

VGS tipe RDSON = 10V:274mΩ
Low Switching High Power Semiconductor 15A 650V 238mΩ Untuk DC-DC Converter

PENGENAL:15A

Tegangan Sumber Pembuangan:650V

VGS tipe RDSON = 10V:238mΩ
20A 650V 150mΩ MOS dingin untuk catu daya modus beralih

PENGENAL:20A

Tegangan Sumber Pembuangan:650V

VGS tipe RDSON = 10V:150mΩ
19A 600V 160mΩ Semikonduktor Daya Tinggi Untuk Pasokan Listrik Industri

PENGENAL:19A

Tegangan Sumber Pembuangan:600V

VGS tipe RDSON = 10V:160mΩ
N Channel High Voltage Semiconductor dengan Kapasitas Junction Low Leakage

Jenis:N

Ketahanan suhu:Ketahanan suhu tinggi

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah
TO-252 Surface Mount High Power Semiconductor 5A 500V 1.33Ω Untuk Pengering Rambut

PENGENAL:5A

Tegangan Sumber Pembuangan:500V

VGS tipe RDSON = 10V:1,33Ω
Transistor Tegangan Tinggi Tipe N TO-220F dengan Kapasitas Gabungan Rendah

Ketahanan suhu:Ketahanan suhu tinggi

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se
N Channel High Power Semiconductor TO-220F Dengan Resistensi Suhu Tinggi

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se
High Power Low Leakage N Channel IGBT tahan suhu tinggi

Tegangan:Tegangan tinggi

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se

Kebocoran:Kebocoran Rendah
TO-247 N Channel High Power Semiconductor Untuk Charging Stack

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Ketahanan suhu:Ketahanan suhu tinggi

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Telusuri kategori：

Semikonduktor Daya Tinggi

Cina Semikonduktor Daya Tinggi

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET Daya Tinggi Untuk Mengganti Pengecas

Semikonduktor Tegangan Tinggi Tipe N Daya Tinggi dengan Kebocoran Rendah

TO-220F Transistor Efek Medan Semikonduktor Metal Oksida 15A 600V 274mΩ

Low Switching High Power Semiconductor 15A 650V 238mΩ Untuk DC-DC Converter

20A 650V 150mΩ MOS dingin untuk catu daya modus beralih

19A 600V 160mΩ Semikonduktor Daya Tinggi Untuk Pasokan Listrik Industri

N Channel High Voltage Semiconductor dengan Kapasitas Junction Low Leakage

TO-252 Surface Mount High Power Semiconductor 5A 500V 1.33Ω Untuk Pengering Rambut

Transistor Tegangan Tinggi Tipe N TO-220F dengan Kapasitas Gabungan Rendah

N Channel High Power Semiconductor TO-220F Dengan Resistensi Suhu Tinggi

High Power Low Leakage N Channel IGBT tahan suhu tinggi

TO-247 N Channel High Power Semiconductor Untuk Charging Stack

Silicon Carbide SBD

Power Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Untuk Oven Listrik

High Breakdown Voltage Silicon Carbide SBD Untuk Pusat Data

Industrial Silicon Carbide SBD Multipurpose Untuk Mesin Las

IGBT inverter

15A 1200V Inverter IGBT Sirkuit Singkat Tahan Waktu 10μS Untuk Pengemudi Motor

Inverter yang andal dan kokoh IGBT Enhancement Mode N Channel

Charging Pile IGBT Transistor Multipurpose Untuk Aplikasi OBC