Rumah Produk

Semikonduktor Daya Tinggi

Cina Semikonduktor Daya Tinggi

Tegangan Tinggi Kebocoran Rendah Semikonduktor Mos Dingin Untuk Muat Tumpukan

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Jenis:N

Kebocoran:Kebocoran Rendah
N Channel High Power Semiconductor dengan Low Leakage Low Junction Capacitance

Jenis:N

Kebocoran:Kebocoran Rendah

Efisiensi:Efisiensi tinggi
Low Leakage N Channel High Power IGBT Untuk Aplikasi Industri

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Jenis:N

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah
Desain N Tipe Semikonduktor Daya Tinggi TO-220F Dengan Kemampuan Switching Cepat

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se
Low Leakage N Channel MOSFET bertenaga tinggi TO-220F TO-263C TO-247AC

Ketahanan suhu:Ketahanan suhu tinggi

Tegangan:Tegangan tinggi

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se
Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 Semikonduktor Daya Tinggi

Konsumsi Daya:Kehilangan Daya Rendah

Status bebas timah:RoHS

Perlawanan:Rds Rendah (AKTIF)
Resistensi suhu tinggi kebocoran rendah Kapasitas simpang rendah tipe N MOSFET untuk efisiensi energi lanjutan

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Jenis:N
Low Junction Capacitance Power N Channel Semikonduktor

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Ketahanan suhu:Ketahanan suhu tinggi
Tekanan Kapasitas Gabungan Rendah IGBT untuk Suhu dengan Kebocoran Rendah

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Efisiensi:Efisiensi tinggi

Jenis:N
Low Leakage Low Junction Capacitance High Temperature Resistance Voltage N Channel Power Semikonduktor

Kebocoran:Kebocoran Rendah

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se
MOSFET daya dengan ketahanan suhu tinggi kebocoran rendah dan kapasitas simpang rendah

Jenis:N

Tegangan:Tegangan tinggi

Cahaya Tinggi:Semikonduktor Daya Tegangan Tinggi Dicirikan Oleh Kemampuannya Menangani Tegangan Dan Arus Tinggi Se
Aplikasi Multi-Occasion Semikonduktor Daya Tinggi N Channel

Tegangan:Tegangan tinggi

Keuntungan:Proses Yang Stabil Dan Kualitas Yang Dapat Diandalkan

Kapasitas persimpangan:Kapasitas Jalur Rendah

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Telusuri kategori：

Semikonduktor Daya Tinggi

Cina Semikonduktor Daya Tinggi

Tegangan Tinggi Kebocoran Rendah Semikonduktor Mos Dingin Untuk Muat Tumpukan

N Channel High Power Semiconductor dengan Low Leakage Low Junction Capacitance

Low Leakage N Channel High Power IGBT Untuk Aplikasi Industri

Desain N Tipe Semikonduktor Daya Tinggi TO-220F Dengan Kemampuan Switching Cepat

Low Leakage N Channel MOSFET bertenaga tinggi TO-220F TO-263C TO-247AC

Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V LCS65R900 Semikonduktor Daya Tinggi

Resistensi suhu tinggi kebocoran rendah Kapasitas simpang rendah tipe N MOSFET untuk efisiensi energi lanjutan

Low Junction Capacitance Power N Channel Semikonduktor

Tekanan Kapasitas Gabungan Rendah IGBT untuk Suhu dengan Kebocoran Rendah

Low Leakage Low Junction Capacitance High Temperature Resistance Voltage N Channel Power Semikonduktor

MOSFET daya dengan ketahanan suhu tinggi kebocoran rendah dan kapasitas simpang rendah

Aplikasi Multi-Occasion Semikonduktor Daya Tinggi N Channel

Silicon Carbide SBD

Power Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Untuk Oven Listrik

High Breakdown Voltage Silicon Carbide SBD Untuk Pusat Data

Industrial Silicon Carbide SBD Multipurpose Untuk Mesin Las

IGBT inverter

15A 1200V Inverter IGBT Sirkuit Singkat Tahan Waktu 10μS Untuk Pengemudi Motor

Inverter yang andal dan kokoh IGBT Enhancement Mode N Channel

Charging Pile IGBT Transistor Multipurpose Untuk Aplikasi OBC