Rumah Produk

Super Junction MOSFET

Produk terbaik

Solar Inverter Super Junction Mos High Power Cool Mosfet Untuk Pengisian Tumpukan

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET Dengan Diode Pemulihan Cepat

N Channel Super Junction MOSFET Surface Mount High Frequency Switching Cool MOS

Cina Super Junction MOSFET

650V Smartphone Lebih Rendah Pada Resistensi Super Junction Mosfet Untuk PFC

Margin EMI:Margin EMI yang Besar

Produsen:Lingxun

Aplikasi:Catu Daya Telekomunikasi/Server
Perangkat diskrit dengan daya stabil dengan ketahanan ultra rendah dan margin EMI besar

Cahaya Tinggi:100% Avalanche Diuji Kinerja Ron*A Jauh Lebih Rendah Untuk Efisiensi On-state

Aplikasi:Catu Daya Telekomunikasi/Server

Jenis:N
Perangkat Diskrit Daya Telekomunikasi Super Junction MOSFET tipe N

Cahaya Tinggi:100% Avalanche Diuji Kinerja Ron*A Jauh Lebih Rendah Untuk Efisiensi On-state

Margin EMI:Margin EMI yang Besar

Tipe perangkat:Perangkat Diskrit Daya
N Tipe Super Junction Mosfet Untuk Sumber Daya Telekomunikasi / Server

Jenis:N

Margin EMI:Margin EMI yang Besar

Aplikasi:Catu Daya Telekomunikasi / Server
Elektronik MOSFET Super Junction Lanjutan Dalam Pasokan Listrik yang Tidak Terputus

Cahaya Tinggi:100% Avalanche Diuji Kinerja Ron*A Jauh Lebih Rendah Untuk Efisiensi On-state

Aplikasi:Catu Daya Telekomunikasi/Server

Margin EMI:Margin EMI yang Besar
Sumber Daya Telekomunikasi / Server Sj Mosfet Kinerja Tinggi

Jenis:N

Produsen:Lingxun

Cahaya Tinggi:100% Avalanche Diuji Kinerja Ron*A Jauh Lebih Rendah Untuk Efisiensi On-state
7A 650V Margin EMI Besar N Channel MOSFET LC65R600F

Aplikasi:Catu Daya Telekomunikasi/Server

Produsen:Lingxun

Margin EMI:Margin EMI yang Besar
20A 650V Super Junction Mos Untuk Sumber Daya Server Telekomunikasi

Cahaya Tinggi:100% Avalanche Diuji Kinerja Ron*A Jauh Lebih Rendah Untuk Efisiensi On-state

Produsen:Lingxun

Tipe perangkat:Perangkat Diskrit Daya
Kekuatan Margin EMI besar Super Mosfet 100% Tes Avalanche

Jenis:N

Margin EMI:Margin EMI yang Besar

Produsen:Lingxun
4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet Low On Resistance HV Transistor

PENGENAL:4A

Tegangan Sumber Pembuangan:650V

VGS tipe RDSON = 10V:880mΩ
Si Super Junction MOSFET High Current Cool Mos 47A 600V 68mΩ

PENGENAL:47A

Tegangan Sumber Pembuangan:600V

VGS tipe RDSON = 10V:68mΩ
20A 650V 150mΩ Low Ciss Super Junction MOSFET Untuk Sumber Daya

PENGENAL:20A

Tegangan Sumber Pembuangan:650V

VGS tipe RDSON = 10V:150mΩ

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Telusuri kategori：

Super Junction MOSFET

Solar Inverter Super Junction Mos High Power Cool Mosfet Untuk Pengisian Tumpukan

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET Dengan Diode Pemulihan Cepat

N Channel Super Junction MOSFET Surface Mount High Frequency Switching Cool MOS

Cina Super Junction MOSFET

650V Smartphone Lebih Rendah Pada Resistensi Super Junction Mosfet Untuk PFC

Perangkat diskrit dengan daya stabil dengan ketahanan ultra rendah dan margin EMI besar

Perangkat Diskrit Daya Telekomunikasi Super Junction MOSFET tipe N

N Tipe Super Junction Mosfet Untuk Sumber Daya Telekomunikasi / Server

Elektronik MOSFET Super Junction Lanjutan Dalam Pasokan Listrik yang Tidak Terputus

Sumber Daya Telekomunikasi / Server Sj Mosfet Kinerja Tinggi

7A 650V Margin EMI Besar N Channel MOSFET LC65R600F

20A 650V Super Junction Mos Untuk Sumber Daya Server Telekomunikasi

Kekuatan Margin EMI besar Super Mosfet 100% Tes Avalanche

4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet Low On Resistance HV Transistor

Si Super Junction MOSFET High Current Cool Mos 47A 600V 68mΩ

20A 650V 150mΩ Low Ciss Super Junction MOSFET Untuk Sumber Daya

Silicon Carbide SBD

Power Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Untuk Oven Listrik

High Breakdown Voltage Silicon Carbide SBD Untuk Pusat Data

Industrial Silicon Carbide SBD Multipurpose Untuk Mesin Las

IGBT inverter

15A 1200V Inverter IGBT Sirkuit Singkat Tahan Waktu 10μS Untuk Pengemudi Motor

Inverter yang andal dan kokoh IGBT Enhancement Mode N Channel

Charging Pile IGBT Transistor Multipurpose Untuk Aplikasi OBC